Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
80 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
580 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
8 GHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
€ 7,25
€ 0,29 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 8,99
€ 0,36 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
€ 7,25
€ 0,29 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 8,99
€ 0,36 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
80 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
580 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
8 GHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


