Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Κωδικός Προϊόντος της RS: 823-5538PΚατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: BFR193E6327HTSA1
brand-logo

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

80 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

580 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

8 GHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

2.9 x 1.3 x 1mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 7,25

€ 0,29 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 8,99

€ 0,36 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 7,25

€ 0,29 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 8,99

€ 0,36 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

80 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

580 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

8 GHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

2.9 x 1.3 x 1mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more