Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN Transistor, 35 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Name: Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN Transistor, 35 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23
Brand: Infineon
SKU: 9114726

Κωδικός Προϊόντος της RS: 911-4726Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: BFR93AE6327HTSA1

Προβολή όλων σε Bipolar Transistors

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

35 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

15 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

6000 MHz

Pin Count

Number of Elements per Chip

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Μπορεί να σας ενδιαφέρει

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23Κατασκευαστής: Infineon

€ 0,384Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

P.O.A.

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN Transistor, 35 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

3000

P.O.A.

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN Transistor, 35 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

3000

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Μπορεί να σας ενδιαφέρει

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23Κατασκευαστής: Infineon

€ 0,384Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

35 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

15 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

6000 MHz

Pin Count

Number of Elements per Chip

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Μπορεί να σας ενδιαφέρει

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23Κατασκευαστής: Infineon

€ 0,384Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α