Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-363 (SC-88)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
175 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Pin Count
6
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2 x 1.25 x 0.8mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
10
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-363 (SC-88)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
175 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Pin Count
6
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2 x 1.25 x 0.8mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος