Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.5mm
Base Current
100mA
Height
1.6mm
Width
3.5mm
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Dimensions
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.5mm
Base Current
100mA
Height
1.6mm
Width
3.5mm
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Dimensions
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος