Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N

Κωδικός Προϊόντος της RS: 167-970Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: BSS138N
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.4 nC @ 10 V

Height

1mm

Width

1.3mm

Μπορεί να σας ενδιαφέρει
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GΚατασκευαστής: onsemi
€ 0,198Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

P.O.A.

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
Επιλέγξτε συσκευασία

Standard

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 100.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 100.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

100

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 100.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 100.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

100

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Μπορεί να σας ενδιαφέρει
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GΚατασκευαστής: onsemi
€ 0,198Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.4 nC @ 10 V

Height

1mm

Width

1.3mm

Μπορεί να σας ενδιαφέρει
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GΚατασκευαστής: onsemi
€ 0,198Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α