P-Channel MOSFET Transistor, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS215P

Κωδικός Προϊόντος της RS: 823-5484Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: BSS215P
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.18 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

500 mW

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 4.5 V

Width

1.3mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Χώρα Προέλευσης

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1
€ 0,285Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 250) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

P-Channel MOSFET Transistor, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS215P

P.O.A.

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

P-Channel MOSFET Transistor, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS215P
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1
€ 0,285Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 250) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.18 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

500 mW

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 4.5 V

Width

1.3mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Χώρα Προέλευσης

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1
€ 0,285Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 250) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α