Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
650 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
360 mW
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
50
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
650 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
360 mW
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia


