Infineon XHP Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 720 A, 3300 V Tray FF2600UXTR33T2M1BPSA1

Name: Infineon XHP Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 720 A, 3300 V Tray FF2600UXTR33T2M1BPSA1
Brand: Infineon
SKU: 0277195
Availability: LimitedAvailability

Κωδικός Προϊόντος της RS: 277-195Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: FF2600UXTR33T2M1BPSA1

Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current

720 A

Maximum Drain Source Voltage

3300 V

Series

XHP

Package Type

Tray

Mounting Type

Screw Mount

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

Transistor Material

SiC

Χώρα Προέλευσης

Germany

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 8.781,00

€ 8.781,00 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 10.888,44

€ 10.888,44 Μονάδας Με Φ.Π.Α

Infineon XHP Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 720 A, 3300 V Tray FF2600UXTR33T2M1BPSA1

€ 8.781,00

€ 8.781,00 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 10.888,44

€ 10.888,44 Μονάδας Με Φ.Π.Α

Infineon XHP Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 720 A, 3300 V Tray FF2600UXTR33T2M1BPSA1

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current

720 A

Maximum Drain Source Voltage

3300 V

Series

XHP

Package Type

Tray

Mounting Type

Screw Mount

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

Transistor Material

SiC

Χώρα Προέλευσης

Germany