Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
IMW1
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
2
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
2
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
IMW1
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si