N-Channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD034N06N3 G

Κωδικός Προϊόντος της RS: 823-5594PΚατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: IPD034N06N3 G
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

167 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

98 nC @ 10 V

Width

6.223mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.413mm

Χώρα Προέλευσης

Malaysia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD034N06N3GATMA1
€ 2,492Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

P.O.A.

Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD034N06N3 G
Επιλέγξτε συσκευασία

P.O.A.

Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD034N06N3 G

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD034N06N3GATMA1
€ 2,492Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

167 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

98 nC @ 10 V

Width

6.223mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.413mm

Χώρα Προέλευσης

Malaysia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD034N06N3GATMA1
€ 2,492Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α