Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
TO-252
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
6.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
131 nC @ 10 V
Height
2.41mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
5
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
TO-252
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
6.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
131 nC @ 10 V
Height
2.41mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia