N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1

Κωδικός Προϊόντος της RS: 171-1945Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: IPD200N15N3GATMA1
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

9.45mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

4.57mm

Series

IPD200N15N3 G

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 3,08

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 3,819

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 3,08

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 3,819

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
10 - 10€ 3,08€ 30,80
20 - 40€ 2,50€ 25,00
50 - 90€ 2,37€ 23,70
100 - 240€ 2,24€ 22,40
250+€ 2,12€ 21,20

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

9.45mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

4.57mm

Series

IPD200N15N3 G

Minimum Operating Temperature

-55 °C