N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD600N25N3GATMA1

Κωδικός Προϊόντος της RS: 171-1948Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: IPD600N25N3GATMA1
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

60 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Width

7.47mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.41mm

Series

IPD600N25N3 G

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 3,18

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 3,943

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD600N25N3GATMA1
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 3,18

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 3,943

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD600N25N3GATMA1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
10 - 10€ 3,18€ 31,80
20 - 40€ 2,65€ 26,50
50 - 90€ 2,52€ 25,20
100 - 240€ 2,39€ 23,90
250+€ 2,22€ 22,20

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

60 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Width

7.47mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.41mm

Series

IPD600N25N3 G

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V