N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1

Name: N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1
Brand: Infineon
SKU: 2144395
Availability: LimitedAvailability

Κωδικός Προϊόντος της RS: 214-4395Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: IPD80R1K4CEATMA1

Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

CoolMOS™ CE

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Number of Elements per Chip

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 0,83

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 1,029

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1

2500

€ 0,83

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 1,029

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

2500

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

CoolMOS™ CE

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Number of Elements per Chip