Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
130 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
TO-220AB
Series
IRF1407PbF
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
330 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Width
4.83mm
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16.51mm
Forward Diode Voltage
1.3V
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,57
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,187
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
€ 2,57
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,187
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,57 | € 128,50 |
100 - 200 | € 2,12 | € 106,00 |
250 - 450 | € 2,02 | € 101,00 |
500 - 950 | € 1,89 | € 94,50 |
1000+ | € 1,76 | € 88,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
130 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
TO-220AB
Series
IRF1407PbF
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
330 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Width
4.83mm
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16.51mm
Forward Diode Voltage
1.3V