Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20.7 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220 FP
Series
SPA20N60C3
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
34.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 10 V
Width
4.85mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
0
Typical Power Gain
0
Height
16.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 6,98
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 8,655
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2
€ 6,98
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 8,655
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
2 - 8 | € 6,98 | € 13,96 |
10 - 18 | € 6,73 | € 13,46 |
20 - 48 | € 6,15 | € 12,30 |
50 - 98 | € 5,62 | € 11,24 |
100+ | € 5,42 | € 10,84 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20.7 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220 FP
Series
SPA20N60C3
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
34.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 10 V
Width
4.85mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
0
Typical Power Gain
0
Height
16.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C