Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
HiperFET, Polar3
Package Type
PLUS264
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
56 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
1.89 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.31mm
Length
20.29mm
Typical Gate Charge @ Vgs
245 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
26.59mm
Χώρα Προέλευσης
United States
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
€ 695,00
€ 27,80 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 861,80
€ 34,472 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) Με Φ.Π.Α
25
€ 695,00
€ 27,80 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 861,80
€ 34,472 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) Με Φ.Π.Α
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
HiperFET, Polar3
Package Type
PLUS264
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
56 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
1.89 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.31mm
Length
20.29mm
Typical Gate Charge @ Vgs
245 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
26.59mm
Χώρα Προέλευσης
United States
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS