Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
TO-247
Series
Trench
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
694 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
16.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
157 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
21.46mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
€ 303,00
€ 10,10 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 375,72
€ 12,524 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 303,00
€ 10,10 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 375,72
€ 12,524 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
TO-247
Series
Trench
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
24 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
694 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
16.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
157 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
21.46mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS