Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
550 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SMPD
Series
GigaMOS, HiperFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
24
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Maximum Power Dissipation
830 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
23.25mm
Length
25.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
595 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
5.7mm
Χώρα Προέλευσης
Germany
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
€ 1.118,80
€ 55,94 Μονάδας (Σε μία ράγα των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.387,31
€ 69,366 Μονάδας (Σε μία ράγα των 20) Με Φ.Π.Α
20
€ 1.118,80
€ 55,94 Μονάδας (Σε μία ράγα των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.387,31
€ 69,366 Μονάδας (Σε μία ράγα των 20) Με Φ.Π.Α
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
550 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SMPD
Series
GigaMOS, HiperFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
24
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Maximum Power Dissipation
830 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
23.25mm
Length
25.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
595 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
5.7mm
Χώρα Προέλευσης
Germany
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS