Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
660 V
Package Type
TO-220F
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
49 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.93mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.71mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Height
16.13mm
Forward Diode Voltage
1.4V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,31
Μονάδας (Σε μία ράγα των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,624
Μονάδας (Σε μία ράγα των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
€ 1,31
Μονάδας (Σε μία ράγα των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,624
Μονάδας (Σε μία ράγα των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,31 | € 13,10 |
50 - 90 | € 1,21 | € 12,10 |
100 - 240 | € 1,16 | € 11,60 |
250 - 490 | € 1,08 | € 10,80 |
500+ | € 1,01 | € 10,10 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
660 V
Package Type
TO-220F
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
49 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.93mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.71mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Height
16.13mm
Forward Diode Voltage
1.4V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.