Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
660 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
182 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Width
4.83mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Height
16.51mm
Χώρα Προέλευσης
Korea, Republic Of
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
P.O.A.
Μονάδας (Σε μία ράγα των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
10
P.O.A.
Μονάδας (Σε μία ράγα των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
660 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
182 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Width
4.83mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Height
16.51mm
Χώρα Προέλευσης
Korea, Republic Of
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.


