Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
5.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
5.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.


