Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
5.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Width
3.9mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.5mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
5.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Width
3.9mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.5mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.