Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
25
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.


