Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
47 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerDFN56
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
35.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.6 nC @ 10 V
Width
5.1mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
47 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerDFN56
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
35.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.6 nC @ 10 V
Width
5.1mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.


