Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
94 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerDFN56
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
25
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
94 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerDFN56
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.


