N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip 2N7000-G

Κωδικός Προϊόντος της RS: 177-9588Κατασκευαστής: MicrochipΚωδικός Κατασκευαστή: 2N7000-G
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-92

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5.3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

30 V

Width

4.06mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.08mm

Height

5.33mm

Series

2N7000

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.85V

Χώρα Προέλευσης

Taiwan, Province Of China

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 0,48

Μονάδας (Σε μία Σακούλα των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 0,595

Μονάδας (Σε μία Σακούλα των 1000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip 2N7000-G

€ 0,48

Μονάδας (Σε μία Σακούλα των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 0,595

Μονάδας (Σε μία Σακούλα των 1000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip 2N7000-G
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-92

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5.3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

30 V

Width

4.06mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.08mm

Height

5.33mm

Series

2N7000

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.85V

Χώρα Προέλευσης

Taiwan, Province Of China