Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
175 mA
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
740 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.19mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
5.33mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
€ 9,10
€ 0,91 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,28
€ 1,128 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 9,10
€ 0,91 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,28
€ 1,128 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
175 mA
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
740 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.19mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
5.33mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.


