Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-666
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
390 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Width
1.3mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.6mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
40
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
40
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-666
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
390 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Width
1.3mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.6mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


