Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-300 V
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
50
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
300 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
60 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 240,00
€ 0,08 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 297,60
€ 0,099 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 240,00
€ 0,08 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 297,60
€ 0,099 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-300 V
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
50
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
300 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
60 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


