Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.35mm
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Χώρα Προέλευσης
Hong Kong
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 10000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
10000
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 10000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
10000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.35mm
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Χώρα Προέλευσης
Hong Kong
Λεπτομέρειες Προϊόντος