Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
225 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.7mm
Width
3.7mm
Transistor Material
Si
Height
1.7mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
10
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
225 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.7mm
Width
3.7mm
Transistor Material
Si
Height
1.7mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


