Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-0.00005mA
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Width
3.7mm
Height
1.7mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Length
6.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-0.00005mA
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Width
3.7mm
Height
1.7mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Length
6.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


