Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
320 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.72 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,30
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,372
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
40
€ 0,30
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,372
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
40
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
40 - 360 | € 0,30 | € 12,00 |
400 - 760 | € 0,13 | € 5,20 |
800+ | € 0,13 | € 5,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
320 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.72 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος