Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
180 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 16,00
€ 0,08 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 19,84
€ 0,099 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
200
€ 16,00
€ 0,08 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 19,84
€ 0,099 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
200
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 200 - 400 | € 0,08 | € 8,00 |
| 500+ | € 0,05 | € 5,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
180 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


