Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
310 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 26,00
€ 0,26 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 32,24
€ 0,322 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 100) Με Φ.Π.Α
Standard
100
€ 26,00
€ 0,26 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 32,24
€ 0,322 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 100) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,26 | € 26,00 |
| 300 - 500 | € 0,26 | € 26,00 |
| 600+ | € 0,21 | € 21,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
310 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


