Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-2.4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 85,50
€ 0,57 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 106,02
€ 0,707 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
150
€ 85,50
€ 0,57 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 106,02
€ 0,707 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
150
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 150 - 270 | € 0,57 | € 17,10 |
| 300 - 720 | € 0,55 | € 16,50 |
| 750 - 1470 | € 0,52 | € 15,60 |
| 1500+ | € 0,47 | € 14,10 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-2.4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


