Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-4.9 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-30 V
Package Type
SOT-223 (SC-73)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3 + Tab
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 45,50
€ 0,91 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 56,42
€ 1,128 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
€ 45,50
€ 0,91 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 56,42
€ 1,128 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,91 | € 9,10 |
| 100 - 190 | € 0,84 | € 8,40 |
| 200 - 390 | € 0,84 | € 8,40 |
| 400+ | € 0,81 | € 8,10 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-4.9 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-30 V
Package Type
SOT-223 (SC-73)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3 + Tab
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


