Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
UPAK
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Minimum DC Current Gain
250
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
150 MHz
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 84,00
€ 0,84 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 104,16
€ 1,042 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
€ 84,00
€ 0,84 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 104,16
€ 1,042 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,84 | € 8,40 |
250 - 490 | € 0,78 | € 7,80 |
500 - 990 | € 0,73 | € 7,30 |
1000+ | € 0,68 | € 6,80 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
UPAK
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Minimum DC Current Gain
250
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
150 MHz
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.