Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
5 A
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Package Type
SOT-223 (SC-73)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum DC Current Gain
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
130 MHz
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1.7 x 6.7 x 3.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 12,00
€ 0,60 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 14,88
€ 0,744 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
€ 12,00
€ 0,60 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 14,88
€ 0,744 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,60 | € 6,00 |
| 50+ | € 0,55 | € 5,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
5 A
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Package Type
SOT-223 (SC-73)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum DC Current Gain
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
130 MHz
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1.7 x 6.7 x 3.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


