Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
440 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
560 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
0.65 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
20
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
440 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
560 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
0.65 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος


