Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
76 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.47V
Maximum Power Dissipation
1.92 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 156,00
€ 0,26 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 193,44
€ 0,322 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
600
€ 156,00
€ 0,26 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 193,44
€ 0,322 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
600
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι | 
|---|---|---|
| 600 - 1450 | € 0,26 | € 13,00 | 
| 1500+ | € 0,21 | € 10,50 | 
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
76 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.47V
Maximum Power Dissipation
1.92 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


