Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
680 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-883B
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.76 nC @ 4.5 V
Width
0.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
0.36mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
25
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
680 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-883B
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.76 nC @ 4.5 V
Width
0.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
0.36mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


