Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
LFPAK, SOT-669
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.1mm
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
LFPAK, SOT-669
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.1mm
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


