Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
114 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Width
4.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16mm
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
5
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
114 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Width
4.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16mm
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος


