Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NXPTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
35 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-143B
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
15 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
6000 MHz
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
RF Bipolar Transistors, NXP
Bipolar Transistors, NXP
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NXPTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
35 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-143B
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
15 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
6000 MHz
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος