Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
12 to 60mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Pin Count
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Width
1.4mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,15
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,186
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
€ 0,15
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,186
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
50 - 90 | € 0,15 | € 1,50 |
100 - 240 | € 0,15 | € 1,50 |
250 - 490 | € 0,15 | € 1,50 |
500+ | € 0,13 | € 1,30 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
12 to 60mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Pin Count
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Width
1.4mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.