Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NXPTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
10 V
Package Type
UMT
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
1.5 V
Maximum Operating Frequency
8500 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1 x 2.2 x 1.35mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
RF Bipolar Transistors, NXP
Bipolar Transistors, NXP
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
12000
P.O.A.
12000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NXPTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
10 V
Package Type
UMT
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
1.5 V
Maximum Operating Frequency
8500 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1 x 2.2 x 1.35mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος