onsemi 2SK3666-3-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin CP

Κωδικός Προϊόντος της RS: 792-5161Κατασκευαστής: ON SemiconductorΚωδικός Κατασκευαστή: 2SK3666-3-TB-E
brand-logo
View all in JFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

ON Semiconductor

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

200 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

4pF

Source Gate On-Capacitance

1.1pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

onsemi 2SK3666-3-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin CP
Επιλέγξτε συσκευασία

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 50.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 50.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

50

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

onsemi 2SK3666-3-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin CP
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 50.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 50.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

50

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

ON Semiconductor

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

200 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

4pF

Source Gate On-Capacitance

1.1pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more