Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Height
15.21mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 5,02
Μονάδας (Σε μία ράγα των 800) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,225
Μονάδας (Σε μία ράγα των 800) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
800
€ 5,02
Μονάδας (Σε μία ράγα των 800) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,225
Μονάδας (Σε μία ράγα των 800) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
800
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Height
15.21mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Χώρα Προέλευσης
China